Лекция №11




Скачать 26.46 Kb.
НазваниеЛекция №11
Дата публикации08.09.2013
Размер26.46 Kb.
ТипЛекция
odtdocs.ru > Информатика > Лекция
14.11.09
Лекция №11
Диод Шоттки (продолжение).
Поверхностные эффекты.
Реализуются на поверхности полупроводника под действием жлектрического поля.

Полевые транзисторы.















А.п/п < А.м
В pn переходе имеем дело с 2-мя ёмкостями: диффузионная (накопление подвижных зарядов) и барьерная (ионы в области pn перехода).

Диффузионная ёмкость определяется количеством подвижных зарядов и временем их накопления.
Накопление и рассасывание.















Реакция на смену полярности..
Бысродействие этого диода будет связана в первую очередь с процессом рассасывания этих зарядов. А во вторую очередь с изменением заряда ионов. Итого: связано с ёмкостями.
В данном случае нет накопления не основных носителей заряда. (Диот Шоттки).

Не могут накапливаться тк являются основными носителями заряда.
При изменении полярности не происходит накопления неосновных носителей заряда и как следствие почти отсутствует рессасывание.
Но остаётся барьерная ёмкость.

Ширина pn перехода – расстояние между обкладками. Чем она больше, тем расстояние меньше и как следствие ёмкость меньше.
C.бар,шоттки = 1 пФ

Применение диода Шоттки в любых цифровых СВЧ схемах.

Особенно эффективно при импульсном сигнале.
Варикап порядка десятых пикофарад.

С увеличением величины обратного напряжения ёмкость варикапа падает.
Диод Шоттки – нет инжекции, нет неосновных носителей заряда – нет диффузионной ёмкости.
f.max до 10ГГц
Диод. LED.
Любой светоисключающий диод работает на основе pn перехода.
Диод LED предстваляет собой устройство для отображения информации, а с другой стороны может использоваться как элемент осветительного прибора.
Работа основана на рекомбинации подвижных носителей заряда при протекании тока через pn переход.


















Проводимости, запрещённая и валентная зоны.
Для осуществления перехода повышаем температуру.

При понижении температуры возможен обратный переход.
Энергия, которая выделяется при переходе зарядов с более высоких уровней на более низких определяется валентной зоной и уровнями(?) хватает на выделение кванта энергии (фонон).
Фонон – невидимое излучение, а фотон – видимое.




Такие условия легче всего реализуются в pn переходе.




Нужно взять специальный pn переход:




В пн переходе реализуется процесс

рекомбинации заряда с высокой эффективностью и

эта рекомбинация довольно частая ( высокий

квантовый выход). Осуществляется квантами,

которые видимы. Токовый прибор.

Нужно пропустить ток тем самым осуществив межзонную рекомбинацию носителей в пн переходе.

Для того чтобы рекомбинация была межзонной нужно очистить пн переход от примесных уровней.

Необходим определённый полупроводник.
Низкая сила сила света по отношению к затраченной мощности.
Конструкция:

















Добавить документ в свой блог или на сайт

Похожие:

Лекция №1
Лекция № Общие принципы эффективной организации учебного процесса. Физиологиче­ская цена учебных нагрузок

Лекция №1
Лекция № Общие принципы эффективной организации учебного процесса. Физиологиче­ская цена учебных нагрузок

Лекция №1
Лекция № Общие принципы эффективной организации учебного процесса. Физиологиче­ская цена учебных нагрузок

Лекция №1
Лекция № Общие принципы эффективной организации учебного процесса. Физиологиче­ская цена учебных нагрузок

Лекция №01 Введение в курс "Базы Данных"
Описание: Вводная лекция. Понятие данных. Предшественники баз данных. Назначение и основные компоненты среды базы данных. Системы...

Моделирование, лекция (08. 11. 10)

Лекция 20. 10. 2007
Макроэкономическая нестабильность. Цикличность воспроизводства и экономические тезисы. 5

Лекция «Этап конструкторского проектирования изделий электронно-вычистительной техники (эвт)»

Лекция №1
Суммирующая машина Паскаля. Арифмометр – от машины Лейбница до электронного калькулятора

12. 09. 09 Лекция №1
Учебник: хороший, одобряет. Википедия – пользоваться осторожно, не совсем подходит

Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
odtdocs.ru
Главная страница